《尼爾機(jī)械紀(jì)元》刷方塊晶片及合成方法

很多玩家對(duì)《尼爾機(jī)械紀(jì)元》刷方塊晶片存在疑惑，不知道合理的順序是什么，接下來小編給大家?guī)淼氖恰赌釥枡C(jī)械紀(jì)元》刷方塊晶片及合成方法，希望對(duì)各位玩家有所幫助。

需要條件

1.破關(guān)后。

2.掉落率UP加到滿90%，

3.自動(dòng)吸附道具。

4.O芯片必裝: HUD:顯示可保存，出現(xiàn)可存盤就快速存盤及載入，及HUD:迷你地圖。

5.通過山谷主人支線，只有谷底道具商可以合成+8芯片，谷底道具商的位置在最后的影片。

6.難度 HARD。

7.選單里DATA->個(gè)體數(shù)據(jù)很重要，像攻擊時(shí)回復(fù)HP芯片只有森林中型雙足會(huì)掉，要先認(rèn)清楚再來刷。

8.刷的位置重要，同樣的怪只在某些點(diǎn)掉芯片在其它地方硬是不掉很常見。

9.騎動(dòng)物可以減少跑步的時(shí)間，但不要用動(dòng)物去撞死機(jī)器人，因?yàn)閯?dòng)物撞死的并不算掉落率加成。

10.可以的話買SSD硬盤，可以省一些加載的時(shí)間，小弟用的就是SSD的硬盤。

11.C路徑，尤其是A2_隨行路線，敵人較少較強(qiáng)，芯片出的也少，但大部分拿到+3，+4芯片，只是要方塊也不容易，而且不是方塊的話幾乎沒有用。遇到可以兩個(gè)+3或+4即可達(dá)最大效果的，建議用A2去C路徑刷會(huì)比較快。+8個(gè)人感覺還是從A或B路徑從小數(shù)值的芯片合彈性較大，出的量也較多。

12.芯片后括號(hào)是建議最好最強(qiáng)最省容量的合成方法。

效率合晶片

1. 先到游樂園刷掉落率UP芯片(+3x1; +4x1)，反復(fù)坐云霄飛車打小型飛行體會(huì)掉落，一次可打8只，建議合成方塊4及方塊3各一，容量16即有90%的掉落率。

2. 暴擊UP芯片(+8)，章節(jié)10-03，EMP小型短足掉落，按照影片位置去走去打才會(huì)掉，其它地方的小型短足不要打，因?yàn)椴粫?huì)掉，小弟測(cè)試過了。

3. 攻擊力UP芯片(+8)，章節(jié)17-01，中型雙足掉落，雙子姐妹說撐不住時(shí)，馬上到后面地下空洞存盤載入。

4.攻擊時(shí)回復(fù)HP芯片(+8)，個(gè)人認(rèn)為最難刷的芯片，要刷到方塊加8至少需要4小時(shí)，因?yàn)橹挥猩种行碗p足會(huì)掉，一輪只有7只，很血尿，同地點(diǎn)會(huì)掉擊破時(shí)回復(fù)HP(+8)，減少物理傷害(+8)，防止連續(xù)傷害(+3x3)，HP最大值UP(+8)。在A或B路徑的森林中央刷。

5.強(qiáng)化挑釁芯片(+3x2)，攻擊力再加5倍的王道芯片，C路徑沙漠中型飛行體掉落，建議選A2到油田刷，這里打完只要不是方塊3或沒掉，不用回去直接讀檔，大約10來次就可拿到兩個(gè)方塊3，滿5倍攻擊力上限，不需要合芯片。所以不算難拿。

6.超頻芯片(+3x1; +4x1)，章節(jié)9-02_2，工廠小型飛行體掉落，打三只小型飛行體到有存盤點(diǎn)的房間，存盤載入反復(fù)打，建議合成方塊+3及+4各一即可達(dá)最大超頻時(shí)間5.5秒。這里也可以用A2到C路徑，廢墟工廠_機(jī)庫(kù)前存檔點(diǎn)直接刷出方塊+3及+4，用的時(shí)間差不多。

7.在沙漠遇到亞當(dāng)?shù)牡胤?，同時(shí)也是練功圣地，建議A或B路徑較好，這里可以拿沖擊波(+8)，移動(dòng)速度UP(+3x2)，閃避移動(dòng)距離UP(+8)，蓄力攻擊(+4x2)，反擊(+8)，燃燒(+1x2)等芯片。

8.防震控制(+3x2)，C路徑，森之國(guó)前有兩只森林大型雙足會(huì)掉，同樣刷出來直接是方塊+3或+4再存檔，不用合。刷到兩個(gè)方塊+3或+4即可。建議用A2比較會(huì)掉+3或+4芯片。

附注：谷底道具商的位置及離開方法，很多人不知道谷底道具商在那里，這個(gè)位置一開始是支線山谷主人NPC的位置，解完支線，NPC就變道具商可以合+8芯片。

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